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基于第五代BiCS FLASH? 3D閃存打造；為要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供更薄的封裝和更快的讀/寫(xiě)速度

很多采用嵌入式閃存的應(yīng)用中，除了對(duì)功耗和空間敏感之外，仍然需要更高的性能和存儲(chǔ)密度，因此，UFS逐漸成為首選解決方案。從總?cè)萘康慕嵌葋?lái)看，與e-MMC相比，UFS占絕大部分的需求。據(jù)Forward Insights[3]的調(diào)查結(jié)果顯示，在全球UFS和e-MMC GB的總體需求中，今年UFS的需求量幾乎達(dá)到了70%，而且這一數(shù)字還將繼續(xù)增長(zhǎng)。

新的UFS 256GB和512GB設(shè)備包括以下改進(jìn)：

• 隨機(jī)讀取性能增加約30%，隨機(jī)寫(xiě)入性能增加約40%。
• Host Performance Booster(HPB)2.0版：利用主機(jī)端內(nèi)存存儲(chǔ)部分邏輯物理轉(zhuǎn)換表，從而提高隨機(jī)讀取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址塊的訪問(wèn)，而HPB 2.0版支持更大范圍的訪問(wèn)，可進(jìn)一步提高隨機(jī)讀取性能。
• 更薄的封裝，256GB高度僅為0.8毫米。

注
[1] 與鎧俠上一代256/512GB UFS相比。
[2] 在256GB存儲(chǔ)密度條件下，與鎧俠上一代256GB UFS相比。
[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度（2021年）

讀寫(xiě)速度可能因主機(jī)設(shè)備、讀寫(xiě)條件和文件大小而有所不同。

在提及鎧俠產(chǎn)品時(shí)：產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)存芯片的密度來(lái)確定的，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的內(nèi)存容量。由于存在開(kāi)銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式化信息、壞塊和其他限制條件，用戶可用容量將會(huì)減少，并且還可能因主機(jī)設(shè)備和應(yīng)用程序而有所不同。詳細(xì)信息請(qǐng)參閱適用的產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明。1KB=2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。